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제2장 기초전기 - 2강 3. 트랜지스터 트랜지스터는 기본적으로는 전류를 증폭하는 것이 가능한 부품이다. 아날로그 회로로는 상당히 많은 종류의 트랜지스터가 쓰여지지만 , 디지털 회로로는 그다지 많은 종류는 사용하지 않는다. 디지털 회로에서는 대부분 ＯＮ 또는 ＯＦＦ 의 값을 취급하기 때문에 ， 트랜지스터의 증폭 특성 차이는 그다지 관계없다． 회로기능은 대부분은 ＩＣ로 하는 것이 많다. 디지털 회로로 트랜지스터를 사용하는 용도는 릴레이라고 말하는 전자석 스위치를 동작하게 할 때 라든가, 발광 다이오드를 제어하거나 할 때 사용한다. (IC에서 공급하는 전류이상을 흘릴 때나 동작하는 전압과 구동전압이 틀릴 때 주로 사용된다.)  트랜지스터(transistor)는 PNP 또는 NPN 구조로 되어 있다. 아래 그림을 자세히 보면 양쪽 모두 베이스가 아주 얇게 되어 있는 것을 볼 수가 있다. 이것이 트랜지스터 에서 중요한 것이다.  아래 그림은 트랜지스터가 증폭하는 모양이다. 먼저 B 의전지는 연결하지 않고 A 전지만 연결해 보면 그러면 이것은 역방향 전압이므로 전류가 흐르지 않는다. 여기서 B 의 전지를 연결하면 E(에미터) 와 B(베이스)간에 순방향 전압이므로 전류가 흐르지만 원래는 B(베이스)로 흘러야 할 전류가 B(베이스)가 얇기 때문에 지나쳐 버리고 전류가 흐르지 않을 C(콜렉터)로 흐른다. 결론은 B(베이스)전류 IB를 1mA 흘려주면 C(콜렉터)전류 IC 가 99mA 흘러 99배 증폭이 된다.  3-1. 트랜지스터(transistor)명칭 (형명) 트랜지스터(transistor)명칭 은 전자기기 제품업체가 독자적으로 정한 것도 있으나 통일된 명칭으로는 미국의 전자 공업회(EIA)의 명칭과 일본의 전자기계 공업회(CES)의 표준 규격의 명칭이 있다. 미국의 전자 공업회(EIA)의 명칭의 예 2 N 3 9 0 4 2 N 3 9 0 4 A 2 N 3 9 0 6 2 N 3 9 0 6 A EIA 방식의 명칭은 숫자 문자 숫자 순으로 되어있고, 처음에 숫자는 PN 의 접합 수를 나타내고 있다. 처음 숫자가 1이면 Photo Transistor(광 트랜지스터: 빛을 받아 받는 양을 을 비례하여 전류가 흐르는 트랜지스터)를 나타내고, 1 일때는 2극을 2일때는 3극 트랜지스터(transistor) 나타내고 있다. 다음 영문자 N 은 반도체 제품을 나타내며 다음 숫자는 품종을 구별하게 하는 것으로 등록 번호 이다. 만약 그 숫자 뒤에 영문자가 있을 때는 개량형임을 뜻한다. 일본의 전자기계 공업회(CES)의 명칭의 예 2SA××× PNP 타입의 고주파용 2SB××× PNP 타입의 저주파용 2SC××× NPN 타입의 고주파용 2SD××× NPN 타입의 저주파용 CES 방식은 숫자,S자,문자,숫자 순으로 되어 있는데 처음 숫자는 PN접합면의 수를 나타내는 것으로 1은 2극( 일반적으로 Diode), 2는 3극 트랜지스터임을 나타낸다. S 자는 반도체(Semi-Conductor) 제품임을 표시하며 다음 문자가 A 면 PNP 타입으로 고주파용, B 면 PNP 타입으로 저주파용, C 면 NPN 타입으로 고주파용, D 면 NPN 타입으로 저주파용, 임을 각각 나타내고 있다. 그리고 그 다음의 숫자는 품종을 구별하는 등록 번호이다. 최근에는 국내외 생산업체에서 독자적인 명칭을 붙이고 있기 때문에 위에 규칙을 적용하지 않는 제품들이 많이 있다. 3-2. 트랜지스터의 리드 선 트랜지스터의 종류에 의해 리드 선의 내용이 다르기 때문에 매뉴얼 등으로 확인할 필요가 있다.  트랜지스터 표준 용어 ☞ VCEO：베이스(B)을 오픈상태에서 콜렉터(C)과 에미터(E)에 걸리는 최대 전압． （단지 VCE이라고 표현하는 경우도 있다） ☞ IC：최대 콜렉터(C) 전류. ☞ PC：주위 온도(Ta)=25℃ 로 유지하고 사용 할 수 있는 최대 콜렉터(C)손실(방열판 부착시) ☞ hFE：에미터(E) 접지로 직류에 대한 전류 증폭 율．(IC÷IB) ☞ fT：고주파 특성，에미터 접지의 전류 증폭률이 1 (0㏈) 이 되는 주파수． ☞ fT = 고주파 hfe ×측정 주파수 |
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